de las siglas en ingles "isolated gate bipolar transistor",es un dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas las ventajas de los transistores descritos en los aparatos anteriores, o sea, el IGBT reune la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas perdidas en conducciónde los BJT de potencia. entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal
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